北京大学孙仲研究员团队在集成电路领域取得重要科研进展

北京大学孙仲研究员团队联合集成电路学院的科研人员近期在集成电路领域取得了一系列重要科研进展。该团队长期致力于新型存储器件、类脑计算芯片及集成系统研究，通过跨学科协作推动相关技术从基础研究向应用转化。

在研究方向上，孙仲研究员团队聚焦于阻变存储器（RRAM）与神经形态计算硬件的融合，探索存算一体架构在人工智能加速中的潜力。他们与集成电路学院合作，针对传统冯·诺依曼架构的能效瓶颈，开发了基于忆阻器的存内计算电路与系统方案。相关工作在器件性能优化、电路设计方法学以及硬件算法协同等方面取得突破，部分成果已在国际学术期刊和会议上发表，并受到产业界关注。

此次联合研究体现了北京大学在集成电路科学与工程领域的交叉创新优势car集成了信息科学技术学院、集成电路学院等多方资源，强化了从材料、器件到芯片与系统的完整创新链。团队将继续推进高密度、低功耗的集成技术，为后摩尔时代的计算芯片发展提供新路径。